SiC 보드의 무작위 모양

높은 품질의 보드 보드 소개

Oxide Bonded Silicon Carbide는 일반 도자기 및 세라믹 제품 (1,450 ℃ 이하의 온도)을 연소시키는 데 사용되는 다양한 형태를 만들 수 있으며 SiC가 실리콘 산화물 (Si2O3)로 결합되어 있으며 기술적으로 "Oxide Bonded Silicon Carbide" .
이 무작위 모양의 보드는 제품에 매우 높은 열효율을 가져 오는 매우 높은 열전도도 (멀 라이트 내화물보다 거의 10 배 이상)와 장파장 적외선의 높은 방사율을 가지고 있습니다.

sic 보드의 무작위 모양은 좋은 열 안정성, 높은 열 전도성 및 화학 물질에 대한 우수한 내식성, 높은 마모 저항 및 높은 왜곡 저항력을 제공 할 수 있습니다. 그것은 널리 전자 세라믹, 에머리 바퀴 및 자성 재료에 사용되었습니다.

고품질 일반 품질 분석

사용자주의 사항

1. 내열성 SiC 재료의 보관 장소는 미스트 및 습기로부터 멀리 떨어 뜨려 보관해야합니다.

2. SiC 내화물 재료를 다른 재료 위에 쌓지 않도록 수직으로 놓는 것이 바람직합니다.

3. SiC 내열성 재료 판에 알루미나 용액을 분무 한 후 사용하기 전에 가마 주위에 건조시켜야합니다.

4. 더 오래 사용하고 지진을 피하기 위해 SiC 내화물을 건조시키고 내화 판에 올려 놓아야합니다.

5. 제품이 유약을 칠한 후에 윤이 나는 제품의 바닥을 청소해야합니다.

6. 내화물 판을 만들 때 내화물 서포터를 정렬해야합니다.

7. 내화 판 사이의 거리는 14-20mm를 유지해야합니다.

8. 소결 곡선의 디자인은 정상적인 작동의 요구 사항을 충족해야합니다. 단시간에 가열 또는 냉각시키지 마십시오.

9. 냉각이 진행되면 차가운 공기를 사용하지 않고 서서히 냉각시켜야 급속 냉각이 이루어집니다.

10. 가마에서 옮길 때, 고온에서 또는 타격을 피해야합니다.

장점

1. 우수한 열 안정성과 고온에서의 왜곡 저항.

2. 고온에서 높은 기계적 강도.

3. 우수한 내열 충격성.

4. 높은 열전도율.

5. 우수한 산화 저항.

6. 고온에서 우수한 내식성.

7. 화학 물질에 대한 우수한 내식성.

8. 높은 내마 모성.

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