실리콘 카바이드 세라믹 보드

일반 chinaware 및 세라믹 제품 (1,450 ° C 미만의 온도)을 소성하는 데 사용되는 실리콘 카바이드 세라믹 보드는 실리콘 산화물 (Si2O3)에 의해 결합 된 SiC에 의해 만들어지며 기술적으로 "산화물 보세 실리콘 카바이드"라고합니다.

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제품 소개

소개

기술적인 매개변수

일반적인 품질 분석		산화물 본딩
		SiC (O-SiC)
	최대 사용 온도 (°C)	1450
	화학성분SiC (%)	90
	SiO2	8
	겉보기 다공성(%)	7-8
	벌크 밀도 (g / cm3)	2.75
	파열 계수	50
	RT (Mpa)에서	50
	1400°C	55
	열팽창	4.2-4.8
	1000°C에서 (10-6K-1)	4.2-4.8
	열전도율	13.5-14.5
	1000°C에서 (W/mK)	13.5-14.5

제품 이점

이 SiC 내화물은 매우 높은 열전도율(멀라이트 내화물보다 거의 10배 높음)과 장파장 적외선의 높은 방사율을 가지고 있어 제품에 매우 높은 열 효율을 제공합니다.
일반 chinaware 및 세라믹 제품을 소성하기위한 비용 성능 측면에서이 산화물 본딩 SiC는 가장 가치 있고 적합한 내화물입니다. SiC 플레이트(O-SiC)의 최대 권장 사용 온도는 1,450°C입니다.

생산 설비

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없다

SiC 세라믹 보드

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